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Thema 30 Bauteile

Halbleiter

Das Fundament moderner Elektronik: warum Silizium mal leitet und mal nicht, was Dotieren bedeutet und wie ein pn-Übergang funktioniert.

ca. 6 Minuten Grundlagen Quiz mit 10 Fragen
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Worum geht es?

Halbleiter sind Stoffe, die mal gut und mal schlecht leiten. Sie leiten besser als ein Isolator, aber schlechter als Metall. Das Besondere: Man kann beeinflussen, wie gut sie leiten, zum Beispiel mit Wärme, Licht oder einer Spannung.

Wie eine Tür, die man je nach Bedarf auf- oder zumachen kann. Darum stecken Halbleiter in Dioden, Transistoren, LEDs, Solarzellen und in jedem Handy-Chip.

Der wichtigste Halbleiter ist Silizium (Si). Kalt leitet es fast gar nicht, weil seine Elektronen fest gebunden sind. Wird es warm, reißen sich einzelne Elektronen los. Reines Silizium leitet deshalb warm besser. Bei Metallen ist es genau umgekehrt.

Runde Siliziumscheibe mit vielen regelmäßig angeordneten Chipstrukturen, die in Regenbogenfarben schillern
Silizium-Wafer: Eine dünne Scheibe aus hochreinem Silizium mit 300 mm Durchmesser. Darauf werden in vielen Schritten Hunderte gleicher Chips gleichzeitig hergestellt und am Ende auseinandergesägt. Die Farben entstehen durch Lichtbrechung an den feinen Strukturen.

Foto: Peellden, „12-inch silicon wafer“, Lizenz: CC BY-SA 3.0, Quelle: Wikimedia Commons, verkleinert.

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Dotieren

Reines Silizium leitet für die Technik viel zu schlecht. Deshalb baut man gezielt Fremdatome ein, man dotiert. Schon ein Fremdatom auf Millionen Siliziumatome verändert die Leitfähigkeit enorm.

Dotiertes Siliziumgitter Ein Gitter aus Siliziumatomen. Ein Phosphoratom bringt ein zusätzliches freies Elektron mit, ein Boratom erzeugt ein Loch, also eine fehlende Bindung. SiSiSiSiSiSiSiPSiSiSiSiSiSiSiSiBSiSiSiSiSiSiSi freies Elektron (n) Loch (p) vereinfacht: jede graue Linie steht für eine Elektronenpaarbindung
Dotieren macht Silizium leitfähig (vereinfacht): Reines Silizium hat kaum freie Ladungsträger. Ein eingebautes Phosphoratom (P) hat ein Elektron mehr als nötig, es wird frei beweglich: n-Leitung. Ein Boratom (B) hat eines zu wenig, es entsteht ein Loch, das wie eine positive Ladung wandert: p-Leitung.
  • n-Dotierung mit Atomen mit fünf Außenelektronen, zum Beispiel Phosphor: Es entstehen freie Elektronen (negativ).
  • p-Dotierung mit Atomen mit drei Außenelektronen, zum Beispiel Bor: Es entstehen Löcher, die wie positive Ladungen wandern.
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Der pn-Übergang

pn-Übergang Links die p-Zone mit Löchern, rechts die n-Zone mit freien Elektronen. In der Mitte die Sperrschicht ohne freie Ladungsträger. p-Zone (Anode) n-Zone (Kathode) Sperrschicht Plus an p, Minus an n: Sperrschicht wird abgebaut, Strom fließt
Der pn-Übergang: Wo p- und n-Zone aneinanderstoßen, finden sich Elektronen und Löcher und verschwinden. Es entsteht eine Sperrschicht ohne freie Ladungsträger. Legt man Plus an p und Minus an n, wird sie abgebaut und Strom fließt. Andersherum wird sie breiter und sperrt. Das ist das Prinzip der Diode.

Damit der Strom in Durchlassrichtung fließt, muss die Spannung erst die Sperrschicht überwinden. Diese Schleusenspannung liegt bei Silizium bei etwa 0,6 bis 0,7 V, bei Germanium bei etwa 0,3 V. Darüber steigt der Strom steil an.

MaterialEinsatz
Silizium (Si)Dioden, Transistoren, Chips, Solarzellen
Germanium (Ge)früher Dioden und Transistoren, heute selten
Galliumarsenid und GalliumnitridLEDs, Hochfrequenztechnik, schnelle Netzteile
Siliziumkarbid (SiC)Leistungselektronik in Wechselrichtern und Elektroautos

Aus pn-Übergängen entstehen alle Halbleiterbauelemente: die Diode (ein Übergang), der Transistor (zwei Übergänge), der Thyristor (drei Übergänge), die LED und die Solarzelle.

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Rechenbeispiele

01 Strom durch eine Diode mit Vorwiderstand

Eine Siliziumdiode liegt in Durchlassrichtung mit einem Widerstand von 1 kΩ an 12 V. Wie groß ist der Strom?

  1. An der Diode fallen etwa 0,7 V ab, am Widerstand also 12 V − 0,7 V = 11,3 V.
  2. I = 11,3 V1.000 Ω = 11,3 mA
  3. Ergebnis: I ≈ 11,3 mA

Gegenprobe: Andersherum gepolt sperrt die Diode, es fließt praktisch kein Strom, und fast die ganzen 12 V liegen an der Diode.

02 Temperatur und Durchlassspannung

Die Durchlassspannung einer Siliziumdiode sinkt um etwa 2 mV pro Kelvin. Wie groß ist sie ungefähr bei 75 °C, wenn sie bei 25 °C 0,7 V beträgt?

  1. Temperaturänderung: 75 °C − 25 °C = 50 K
  2. ΔU = 50 K · 2 mV/K = 100 mV
  3. Ergebnis: rund 0,6 V

Praxis: Diesen Effekt nutzen manche Temperatursensoren. Er bedeutet aber auch: Warme Halbleiter leiten besser, und ohne Kühlung kann sich das bis zur Zerstörung aufschaukeln.

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Typische Fehler

  • Löcher für echte Teilchen gehalten: Ein Loch ist eine fehlende Bindung. Es wandert, weil Nachbarelektronen nachrücken.
  • Halbleiter wie Metalle betrachtet: Ihr Widerstand sinkt mit der Temperatur. Leistungshalbleiter brauchen deshalb Kühlung.
  • Schleusenspannung vergessen: In Schaltungen mit Dioden fehlen am Verbraucher immer etwa 0,7 V je Siliziumdiode.
Merke

Halbleiter wie Silizium leiten erst durch Dotierung gut: n mit freien Elektronen, p mit Löchern. Am pn-Übergang bildet sich eine Sperrschicht. Plus an p, Minus an n: Strom fließt ab etwa 0,7 V. Andersherum sperrt er. Erwärmung senkt den Widerstand.

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Quiz: Teste dich

Zehn Fragen zum Thema Halbleiter. Nach jeder Antwort bekommst du eine Erklärung. Dein Fortschritt wird auf diesem Gerät gespeichert.

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